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推动应用TSV(硅通孔)的三维层叠型新一代

2012/5/23 14:44:37      点击:

  2012年5月8日,推动应用TSV(硅通孔)的三维层叠型新一代DRAM“Hybrid Memory Cube(HMC)”提高的Hybrid Memory Cube Consortium(HMCC)公布,软件行业巨子美国微软已加盟该协会。

  HMC是接纳三维组织,正在逻辑芯片上沿垂直偏向叠加多个DRAM芯片,然后经由过程TSV衔接布线的手艺。HMC的最大特性是取既有的DRAM比拟,机能能够获得极大的提拔。提拔的缘由有二,一是芯片间的布线间隔可以或许从半导体封装平摊正在主板上的传统要领的“cm”单元大幅缩小到数十μm~1mm;二是一枚芯片上可以或许构成1000~数万个TSV,实现芯片间的多点衔接。

  微软之所以到场HMCC,是由于正在思索怎样对应很可能会成为个人电脑和计算机机能提拔的“内存瓶颈”题目。内存瓶颈是指跟着微处理器的机能经由过程多核化络续提拔,现行架构的DRAM的机能将没法知足处理器的需求。若是不处理这个问题,便会发作纵然购置计算机新产品,现实机能也得不到响应提拔的状况。与之比拟,若是把基于TSV的HMC应用于计算机的主存储器,数据传输速度便可以或许进步到现行DRAM的约15倍,因而,不但是微软,微处理器巨子美国英特尔等公司也正在主动研讨接纳HMC。

  实在,企图接纳TSV的其实不只是HMC等DRAM产物。根据半导体厂商的企图,正在以后数年间,从负担电子设备输入功用的CMOS传感器到卖力运算的FPGA和多核处理器,和掌管产物存储的DRAM和NAND闪存皆将接踵导入TSV。若是企图准期停止,TSV将担当起输入、运算、存储等电子设备的主要功能。